Среда, 22.11.2017, 06:37
Главная
Мой профиль
Выход
ZVER.UCOZ.RU
| RSS
Меню сайта
Категории каталога
Анимации [50]
Картинки [52]
Видео [2]
Java-игры [62]
Java-приложения [4]
Flash [0]
EMS [103]
Рефераты [158]
Сочинения [7]
картинки для программ и др [124]
sdt [54]
SMS-реалтоны [15]
MP3-приколы [21]
Интересные программы [7]
Педагогика [3]
разное [20]
Мини-чат
500
Главная » Файлы » Рефераты

Жидкостное химическое травление
[ Скачать с сервера (64.0Kb) ] 11.03.2009, 14:44

Содержание.

                                                                                                       стр.

1. Введение.                                                                                  3

         1.1. Термодинамика травления.                                           5

         1.2. Общие принципы кинетики травления.                         8

         1.3. Феноменологический механизм травления.                  9

2. Жидкостное травление.                                                          11

         2.1. Травление SiO2.                                                              11

         2.2. Травление кремния.                                                       14

         2.3. Травление многослойных структур.                    19

         2.4. Травление алюминия.                                                    20

         2.5. Травители для алюминия.                                              21

         2.6. Электрохимическое травление.                                     23

3. Практические аспекты жидкостного химического           23

    травления.

         3.1. Другие характеристики травления.                               24

4. Заключение.                                                                             25

5. Список литературы.                                                                26


Введение.

 

Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок. Задача инженера-технолога состоит в том, чтобы обеспечить перенос изображения с резистной маски в подложку с минимальным отклонением размера (Е) и допуском (±Т) (см. рис. 1). Из рисунка видно, что суммарное изменение размера при литографии Е обусловлено искажением изображения в резистной маске (±0.1 мкм), уходом размера в резисте (±0.5 мкм) и уходом окончательного размера в процессе травления ±1.0 мкм с допуском в ±1.0 мкм.

В зависимости от кристалличности пленки и целостности резиста (отсутствие отслоений при жидкостном и эрозии при плазменном травлении) уход размера может достигать толщины пленки D и даже превышать ее. Изотропное жидкостное травление, для которого характерно большое боковое подтравливание (L), пришлось заменить газофазным анизотропным травлением, для которого D/L>>1 (рис. 2).

Изотропное травление происходит неупорядоченно, с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям - L и D. Анизотропное травление проявляется при некоторых отклонениях от изотропного процесса. Желательно, чтобы глубина травления (D) была много больше величины бокового подтравливания (L). Поскольку травление в вертикальном направлении при достижении глубины D прекращается, перетравливание определяется только скоростью удаления материала в боковом направлении. Степень анизотропии можно определить как отношение L/D, и ее величина зависит от многих физических параметров. Жидкостное травление определяется в основном статическими характеристиками типа адгезии и степени задубленности резиста, состава травителя и т.п. При сухом травлении степень анизотропии во многом зависит от таких динамических параметров, как мощность разряда, давление и скорость эрозии резиста. Величина бокового подтравливания в случае жидкостного травления зависит от предшествующих стадий обработки - подготовки поверхности и термозадубливания.

                                        

Для компенсации подтрава при изотропном жидкостном травлении размеры элемента на фотошаблоне следует уменьшать. На рис. 3   показана компенсация размера  окон в шаблоне для разных степеней анизотропии травления. Для обычного изотропнго травления D/L равно 1 (без разрушения резиста и при хорошей адгезии). Для того чтобы ширина полосы была равна wе, размер перенесенного в резист изображения wr должен быть меньше на удвоенную величину бокового подтрава (L):

                            wr=wе-2L.                                                                    (1)

 

ля получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении (D/L=3) изображение в резисте следует делать на 0.2 мкм меньше 1 мкм, а ширина элемента на шаблоне (М) должна быть увеличена  примерно на 0.05-0.1 мкм для компенсации ухода размера при формировании резистной маски. Если же D/L=10, то полоса шириной 1 мкм может быть подтравлена через резистное окно шириной 0.7 мкм. разница в характеристиках компенсации размера изображения в резисте для сухого и жидкостного травления Si3N4 ясно видна на рис. 4.





Категория: Рефераты | Добавил: zver
Просмотров: 2218 | Загрузок: 1665 | Комментарии: 2 | Рейтинг: 9.9/52 |
Всего комментариев: 1
1  
Спасибо!

Форма входа
Поиск
Друзья сайта
Рейтинг Сайтов YandeG
Отличный и бесплатный сайт! Заходите не пожалеете
MEGA-ToP-ТОП раскрутка раскрутка сайтов. Jimm, оформление - QIPmobile Ремонт ноутбуков в Киеве! Весь интернет в одном каталоге! Весь интернет в одном каталоге! Google-Add.com - Открытый Каталог Сайтов Топ 100 русскоязычных сайтов
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

| Copyright MyCorp © 2017 | Сайт создан в системе uCoz |